Биполярный транзистор CTN636 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: CTN636
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO237
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам