CTP1032 - описание и поиск аналогов

 

CTP1032. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CTP1032

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 60 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 13

 Аналоги (замена) для CTP1032

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CTP1032 даташит

 9.1. Size:511K  convert
 ctp10p095.pdf pdf_icon

CTP1032

nvert CTP10P095 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 100V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched an

 9.2. Size:610K  convert
 ctp10n066.pdf pdf_icon

CTP1032

nvert CTP10N066 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 100V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched an

Другие транзисторы: CTN492, CTN493, CTN635, CTN636, CTN637, CTN638, CTN639, CTN640, 2SD2499, CTP1033, CTP1034, CTP1035, CTP1036, CTP1104, CTP1108, CTP1109, CTP1111

 

 

 

 

↑ Back to Top
.