CXT5401 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: CXT5401 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: SOT-89
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для CXT5401
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
CXT5401 даташит
cxt5401.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors CXT5401 TRANSISTOR (PNP) SOT-89-3L FEATURE 1. BASE Switching and amplification in high voltage 1 1 Applications such as telephony Low current(max. 500mA) 2 2 2. COLLECTOR High voltage(max.160v) 3 3. EMITTER 5401 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwi
cxt5401.pdf
CXT5401 TRANSISTOR (PNP) SOT-89 FEATURE Switching and amplification in high voltage 1. BASE Applications such as telephony 1 1 Low current(max. 500mA) High voltage(max.160v) 2 2 2. COLLECTOR 3 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -160 V VCEO Collector-Emitter Voltage -150 V
cxt5401.pdf
SMD Type Transistors PNP Transistors CXT5401 (KXT5401) Features 1.70 0.1 Switching and amplification in high voltage Applications such as telephony Low current(max. 500mA) High voltage(max.160v) 0.42 0.1 0.46 0.1 Comlementary to CXT5551 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base V
cxt5401e.pdf
CXT5401E www.centralsemi.com ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT DESCRIPTION PNP SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5401E is a PNP Silicon Transistor, packaged in an SOT-89 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage. MARKING FULL PART NUMBER FEATURES High Collector Breakdown Voltage 250V SOT-89 CASE Low L
Другие транзисторы: CX958C, CX958D, CXT2222A, CXT2907A, CXT3019, CXT3904, CXT3906, CXT4033, A1013, CXT5551, CXTA14, CXTA27, CXTA42, CXTA64, CXTA92, CZ1081, CZ1082
History: TMPT5551 | TMPC1653N4
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536




