Биполярный транзистор CZT127 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CZT127
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: SOT223
CZT127 Datasheet (PDF)
czt122 czt127.pdf
CZT122 NPNCZT127 PNPwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARY SILICONThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT122, CZT127 POWER DARLINGTON TRANSISTORStypes are Complementary Silicon Power Darlington Transistors manufactured in a surface mount package designed for low speed switching and amplifier applications.MARKING: FULL PART NUMBERSOT-223 CASESOT-223 CASEMAX
czt127.pdf
CZT127 SOT-223 Transistor(PNP)1. BASE SOT-2232. COLLECTOR 1 3. EMITTER Features Complementary to CZT122 Silicon Power Darlington Transistors Low speed switching and amplifier applications MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -100 VVCEO Collector-Emitter Voltage -100 VDimensions in inches and (
czt127.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsCZT127 (KZT127)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 Silicon Power Darlington Transistors Low speed switching and amplifier applications Complementary to CZT1221 2 30.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Paramete
czt122.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-223 CZT122 TRANSISTOR (NPN)FEATURES Complementary to CZT1271. BASE Silicon Power Darlington Transistors2. COLLECTOR Low speed switching and amplifier applications3. EMITTERMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit100VCBO Collector-Base Vo
czt122.pdf
CZT122 SOT-223 Transistor(NPN)1. BASE 2. COLLECTOR SOT-223 1 3. EMITTER Features Complementary to CZT127 Silicon Power Darlington Transistors Low speed switching and amplifier applications MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 100 VVCEO Collector-Emitter Voltage 100 VDimensions in inches and (mi
czt122.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsCZT122 (KZT122)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.14 Features Silicon Power Darlington Transistors Low speed switching and amplifier applications1 2 3 Complementary to CZT1270.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Paramete
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050