CZT2955 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CZT2955  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CZT2955

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CZT2955 даташит

 ..1. Size:598K  central
 czt2955 czt3055.pdf pdf_icon

CZT2955

CZT2955 PNP CZT3055 NPN www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION COMPLEMENTARY The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT2955 and SILICON POWER TRANSISTORS CZT3055 types are surface mount epoxy molded complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial base process, designed for surface mounted power amplifier applications up to 6.0 amps. MARKING FULL PART NUMBER SOT-223

 ..2. Size:317K  kexin
 czt2955.pdf pdf_icon

CZT2955

SMD Type Transistors PNP Transistors CZT2955 (KZT2955) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 3.00 0.1 4 Features High Current Low Voltage 1 2 3 Surface Mounted Power Amplifier Application Complement to CZT3055 0.250 2.30 (typ) Gauge Plane 1.Base 2.Collector 0.70 0.1 3.Emitter 4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol

Другие транзисторы: CZ1082, CZ581, CZ582, CZT122, CZT127, CZT2222A, CZT2907, CZT2907A, 2SA1015, CZT3019, CZT3055, CZT31C, CZT32C, CZT3904, CZT3906, CZT4033, CZT5338