Биполярный транзистор D11B1055 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: D11B1055
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SIP
     - подбор биполярного транзистора по параметрам