D11B1055 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D11B1055  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SIP

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для D11B1055

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D11B1055 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D100P, D10-28B, D10B1051, D10B1055, D10G1051, D10G1052, D115, D11B1052, BD139, D11C1051, D11C1053, D11C1057, D11C10B1, D11C10F1, D11C11B1, D11C11F1, D11C1536