All Transistors. D11B1055 Datasheet

 

D11B1055 Datasheet and Replacement


   Type Designator: D11B1055
   Material of Transistor: Si
   Polarity: NPN
   Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.1 W
   Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 10 V
   Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 10 V
   Maximum Collector Current |Ic max|: 0.05 A
   Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C
   Transition Frequency (ft): 130 MHz
   Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 100
   Noise Figure, dB: -
   Package: SIP
 

 D11B1055 Substitution

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D11B1055 Datasheet (PDF)

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Datasheet: D100P , D10-28B , D10B1051 , D10B1055 , D10G1051 , D10G1052 , D115 , D11B1052 , 2N5551 , D11C1051 , D11C1053 , D11C1057 , D11C10B1 , D11C10F1 , D11C11B1 , D11C11F1 , D11C1536 .

History: KTB988 | 2N3999SMD

Keywords - D11B1055 transistor datasheet

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