D11C1057 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D11C1057  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SIP

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для D11C1057

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D11C1057 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D10B1055, D10G1051, D10G1052, D115, D11B1052, D11B1055, D11C1051, D11C1053, 2N5551, D11C10B1, D11C10F1, D11C11B1, D11C11F1, D11C1536, D11C1B1, D11C1F1, D11C201B20