D32S10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D32S10

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для D32S10

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D32S10 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D32L4, D32L5, D32L6, D32P1, D32P2, D32P3, D32P4, D32S1, BD136, D32S2, D32S3, D32S4, D32S5, D32S6, D32S7, D32S8, D32S9