D40N5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D40N5

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 375 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 375 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для D40N5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D40N5 даташит

 0.1. Size:302K  cn minos
 md40n50.pdf pdf_icon

D40N5

Silicon N-Channel Power MOSFET Description The MD40N50 uses advanced technology and design to provide excellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications. General Features V =500V,I =40A DS D Low ON Resistance Low Reverse transfer capacitances 100% Single Pulse avalanche energy Test Application Power switching application TO-247 Adapter and

Другие транзисторы: D40K1, D40K2, D40K3, D40K4, D40N1, D40N2, D40N3, D40N4, 2SA1015, D40NU1, D40NU2, D40NU3, D40NU4, D40NU5, D40P1, D40P2, D40P3