D42C10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D42C10

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для D42C10

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D42C10 даташит

 9.1. Size:173K  onsemi
 mjd42c1g.pdf pdf_icon

D42C10

MJD41C, NJVMJD41CT4G (NPN), MJD42C, NJVMJD42CT4G, NJVMJD42CRLG (PNP) http //onsemi.com Complementary Power Transistors SILICON DPAK For Surface Mount Applications POWER TRANSISTORS 6 AMPERES Designed for general purpose amplifier and low speed switching 100 VOLTS, 20 WATTS applications. Features Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) S

Другие транзисторы: D41E5, D41E6, D41E7, D41K1, D41K2, D41K3, D41K4, D42C1, MJE340, D42C11, D42C12, D42C2, D42C3, D42C4, D42C5, D42C6, D42C7