D45C10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D45C10

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 125 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TOP66

 Аналоги (замена) для D45C10

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D45C10 даташит

 9.1. Size:95K  fairchild semi
 d45c11.pdf pdf_icon

D45C10

January 2010 D45C11 PNP Current Driver Transistor Features This device is designed for power amplifier, regulator and switching circuits where speed is important. Sourced from Process 5P. NZT751 for characteristics. TO-220 1 1. Base 2. Collector 3. Emitter Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Vo

 9.2. Size:73K  onsemi
 d45c12 d44c12.pdf pdf_icon

D45C10

D45C12 (PNP), D44C12 (NPN) Complementary Silicon Power Transistor The D45C12 and D44C12 are for general purpose driver or medium power output stages in CW or switching applications. http //onsemi.com Features 4.0 AMPERE COMPLEMENTARY Low Collector-Emitter Saturation Voltage - 0.5 V (Max) SILICON POWER High ft for Good Frequency Response Low Leakage Current TRANSISTORS 80

Другие транзисторы: D44VM4, D44VM5, D44VM6, D44VM7, D44VM8, D44VM9, D45C, D45C1, 2N5401, D45C11, D45C12, D45C2, D45C3, D45C4, D45C5, D45C6, D45C7