Справочник транзисторов. D45C10

 

Биполярный транзистор D45C10 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: D45C10
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 125 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TOP66
 

 Аналог (замена) для D45C10

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D45C10 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:95K  fairchild semi
 d45c11.pdf pdf_icon

D45C10

January 2010D45C11PNP Current Driver TransistorFeatures This device is designed for power amplifier, regulator and switching circuits where speed is important. Sourced from Process 5P. NZT751 for characteristics.TO-22011. Base 2. Collector 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Vo

 9.2. Size:73K  onsemi
 d45c12 d44c12.pdf pdf_icon

D45C10

D45C12 (PNP),D44C12 (NPN)Complementary SiliconPower TransistorThe D45C12 and D44C12 are for general purpose driver ormedium power output stages in CW or switching applications. http://onsemi.comFeatures4.0 AMPERE COMPLEMENTARY Low Collector-Emitter Saturation Voltage - 0.5 V (Max)SILICON POWER High ft for Good Frequency Response Low Leakage Current TRANSISTORS 80

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC2669O | OC71N | UN6221 | UN2117S

 

 
Back to Top

 


 
.