DM30P - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор DM30P - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: DM30P
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz

Аналоги (замена) для DM30P

DM30P Datasheet (PDF)

0.1. Size:435K 1
asdm30p30ctd-r.pdf

ASDM30P30CTD-30V P-Channel MOSFETFeaturesProduct Summary Low RDS(ON) Fast switchingV -30 V DSS Green Device AvailableR 15 mDS(ON)-Typ.ApplicationI -30 A D MB / VGA / Vcore POL ApplicationsDFN3*3-8 P-MOSFETAbsolute Maximum Ratings (T =25C Unless Otherwise Noted)JSymbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

0.2. Size:577K 1
asdm30p30ctd.pdf

0.3. Size:514K 1
asdm30p11td-r.pdf

ASDM30P11TD-30V P-Channel MOSFETProduct SummaryFeatures Low FOM RDS(on)Qgd 100% avalanche testedV DS -30 V Easy to use/drive RoHS compliantR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 mI D -55 AApplication Power Switch Circuit of Adaptor and Charger Battery Protection Charge/Discharge Notebook AC-in Load SwitchPDFN3*3-8Absolute Maximum Ratings TA = 25 u

0.4. Size:435K ascend
asdm30p30ctd.pdf