DM30P datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DM30P
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz
Аналоги (замена) для DM30P
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DM30P даташит
asdm30p30ctd-r.pdf
ASDM30P30CTD -30V P-Channel MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Fast switching V -30 V DSS Green Device Available R 15 m DS(ON)-Typ. Application I -30 A D MB / VGA / Vcore POL Applications DFN3*3-8 P-MOSFET Absolute Maximum Ratings (T =25 C Unless Otherwise Noted) J Symbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-
asdm30p30ctd.pdf
ASDM30P30CTD -30V P-Channel MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Fast switching V -30 V DSS Green Device Available R 15 m DS(ON)-Typ. Application I -30 A D MB / VGA / Vcore POL Applications DFN3*3-8 P-MOSFET Absolute Maximum Ratings (T =25 C Unless Otherwise Noted) J Symbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-
asdm30p11td-r.pdf
ASDM30P11TD -30V P-Channel MOSFET Product Summary Features Low FOM RDS(on) Qgd 100% avalanche tested V DS -30 V Easy to use/drive RoHS compliant R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 m I D -55 A Application Power Switch Circuit of Adaptor and Charger Battery Protection Charge/Discharge Notebook AC-in Load Switch PDFN3*3-8 Absolute Maximum Ratings TA = 25 u
asdm30p100kq.pdf
ASDM30P100KQ -30V P-Channel MOSFET Product Summary General Features Advanced groove technology is adopted BVDSS -30 V Provide excellent R DS(ON) RDS(on).Typ.@VGS=-10V m 5.0 Low gate charge and operate at low gate voltage Application ID -100 A Lithium battery protection Wireless impact Mobile phone fast charging Schematic diagram TO-252-2L top view
Другие транзисторы: DH3725CN, DKS21, DKS22, DKS23, DKS24, DM10-12B, DM10P, DM150P, BDT88, DM40-28Y, DM50P, DPT121, DPT122, DPT123, DPT124, DPT2600, DQN1006
History: LDTC144WM3T5G | BC141-10 | BC142
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor








