DQN1006 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DQN1006

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

 Аналоги (замена) для DQN1006

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DQN1006 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: DM30P, DM40-28Y, DM50P, DPT121, DPT122, DPT123, DPT124, DPT2600, 2N5551, DR42R2-126, DR42R2-220, DT100-1000, DT100-1100, DT100-1200, DT1003, DT100-800, DT100-900