DT100-1200 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

DT100-1200 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DT100-1200
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1500 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: SPECIAL
 

 Аналоги (замена) для DT100-1200

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DT100-1200 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:222K  cn minos
 mpg100n06 mdt100n06 mps100n06.pdf pdf_icon

DT100-1200

Green ProductMPG100N0660VN-Channel Power MOSFETDESCRIPTION KEYCHARACTERISTICS V =60V,I =100ADS DThe MPG100N06 uses advanced trench technology to provide R

Другие транзисторы... DPT123 , DPT124 , DPT2600 , DQN1006 , DR42R2-126 , DR42R2-220 , DT100-1000 , DT100-1100 , C5198 , DT1003 , DT100-800 , DT100-900 , DT1110 , DT1111 , DT1112 , DT1120 , DT1121 .

History: BUY11 | BUW42PFI | 2SC1756 | BFN19 | 2SA1425O | DT100-1100 | 2N6408

 

 
Back to Top

 


 
.