DTA114ESA datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DTA114ESA
Маркировка: A114ES
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: SC-72
Аналоги (замена) для DTA114ESA
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTA114ESA даташит
dta114eka dta114esa dta114eua.pdf
DTA114EM / DTA114EE / DTA114EUA Transistors DTA114EKA / DTA114ESA -100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors) DTA114EM / DTA114EE / DTA114EUA / DTA114EKA / DTA114ESA Applications Inverter, Interface, Driver Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit)
dta114eca dta114ee dta114esa dta114eua.pdf
DT A114EE/DTA114EUA/DTA114EKA /DTA114ESA/DTA114ECA Digital transistors (PNP) FEATURES 1. Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors(see equivalent circuit). 2. The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input.They also have the advantage of almost co
dta114esa.pdf
DIP Type Transistors Digital Transistors DTA114ESA (KDTA114ESA) TO-92S Unit mm 4.0 0.1 2.48 0.2 45 TYP Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit 0.48 (max) 0.35 (min ) without connecting external input resistors(see equivalent circuit) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete 2 1 3 0.55 (max) isol
pdta114es 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTA114ES PNP resistor-equipped transistor 1998 May 18 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 02 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification o
Другие транзисторы: DT800-450, DRAF143T, DTA113ZKA, DTA113ZSA, DTA113ZUA, DTA114ECA, DRAF143X, DTA114EKA, TIP122, DTA114EUA, DRAF143Z, DTA114GKA, DTA114GSA, DRAF144E, DTA114TKA, DTA114TSA, DTA114TUA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667






