Биполярный транзистор DTA114ESA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DTA114ESA
Маркировка: A114ES
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SC-72
Аналоги (замена) для DTA114ESA
DTA114ESA Datasheet (PDF)
dta114eka dta114esa dta114eua.pdf
DTA114EM / DTA114EE / DTA114EUA Transistors DTA114EKA / DTA114ESA -100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors) DTA114EM / DTA114EE / DTA114EUA / DTA114EKA / DTA114ESA Applications Inverter, Interface, Driver Features1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit)
dta114eca dta114ee dta114esa dta114eua.pdf
DT A114EE/DTA114EUA/DTA114EKA /DTA114ESA/DTA114ECA Digital transistors (PNP)FEATURES 1. Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuitwithout connecting external input resistors(see equivalent circuit). 2. The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolationto allow positive biasing of the input.They also have the advantage ofalmost co
dta114esa.pdf
DIP Type TransistorsDigital TransistorsDTA114ESA (KDTA114ESA)TO-92SUnit:mm4.00.12.480.245 TYP Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit0.48 (max)0.35 (min ) without connecting external input resistors(see equivalent circuit) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete21 30.55 (max) isol
pdta114es 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186PDTA114ESPNP resistor-equipped transistor1998 May 18Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 02File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114ESFEATURES Built-in bias resistorsR1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification o
pdta114es 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186PDTA114ESPNP resistor-equipped transistor1998 May 18Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 02File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114ESFEATURES Built-in bias resistorsR1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification o
dta114es3.pdf
Spec. No. : C252S3 Issued Date : 2003.06.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/4 PNP Digital Transistors (Built-in Resistors) DTA114ES3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complet
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050