DTB114EK datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DTB114EK
Маркировка: F14
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56
Корпус транзистора: SC59 SOT346
Аналоги (замена) для DTB114EK
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTB114EK даташит
dtb114ek dtb114es.pdf
Transistors Digital transistors (built-in resistors) DTB114EK / DTB114ES FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin- film resistors with complete isola- tion to allow positive biasing of the input. They
dtb114ek.pdf
DTB114EK Datasheet PNP -500mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Outline SMT3 Parameter Value OUT VCC 50V IN IC(MAX.) 500mA GND R1 10k DTB114EK R2 SOT 346 (SC 59) 10k Features Inner circuit 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10k . OUT R1 IN 2) Built-in bias resistors enable the configuration of R2 an inverte
chdtb114ekgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTB114EKGP SURFACE MOUNT PNP Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil
pdtb114et p09 sot23.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTB114ET PNP resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification PNP resistor-equipped transistor PDTB114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 Simplifi
Другие транзисторы: DTA144VSA, DTA144VUA, DTC115TS3, DTA144WKA, DTA144WSA, DTA144WUA, DTB113EK, DTB113ES, 2N3055, DTB114ES, DTB123EK, DTB123ES, DTB143EC, DTB143EK, DTB143ES, DTC113ZKA, DTC113ZSA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451












