Справочник транзисторов. DTB123EK

 

Биполярный транзистор DTB123EK Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTB123EK
   Маркировка: F12
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 39
   Корпус транзистора: SC59 SOT346
 

 Аналог (замена) для DTB123EK

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTB123EK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  rohm
dtb123ek.pdfpdf_icon

DTB123EK

-500mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors) DTB123EK Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTB123EK2.9 1.1 Features 0.4 0.81)Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see (3)equivalent circuit). 2)The bias resistors consist of thin-film resistor

 ..2. Size:59K  rohm
dtb123ek dtb123es.pdfpdf_icon

DTB123EK

DTB123EK / DTB123ES Transistors Digital transistors (built-in resistors) DTB123EK / DTB123ES External dimensions (Unit : mm) Features 1) Built-in bias resistors enable the 2.90.2DTB123EK1.1+0.2configuration of an inverter circuit 1.90.2 -0.10.80.1without connecting external input 0.95 0.95resistors (see equivalent circuit). (1) (2)0 to 0.12) The bias re

 0.1. Size:104K  chenmko
chdtb123ekgp.pdfpdf_icon

DTB123EK

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTB123EKGPSURFACE MOUNT PNP Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil

 7.1. Size:118K  nxp
pdtb123e.pdfpdf_icon

DTB123EK

PDTB123E seriesPNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kRev. 02 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package NPN complementNXP JEITA JEDECPDTB123EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTD123EKPDTB123ES[1] SOT54 SC-43A TO-92

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , TIP42C , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top

 


 
.