Биполярный транзистор DTC114EK
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DTC114EK
Маркировка: EC4
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.6
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SMT
Аналоги (замена) для DTC114EK
DTC114EK
Datasheet (PDF)
0.1. Size:57K motorola
pdtc114ek 3.pdf 
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D114PDTC114EKNPN resistor-equipped transistor1998 Nov 26Product specificationSupersedes data of 1998 May 19Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114EKFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3 Simplification of circuit design3 Reduces number
0.2. Size:57K philips
pdtc114ek 3.pdf 
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D114PDTC114EKNPN resistor-equipped transistor1998 Nov 26Product specificationSupersedes data of 1998 May 19Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114EKFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3 Simplification of circuit design3 Reduces number
0.3. Size:1523K rohm
dtc114eka.pdf 
DTC114E seriesDatasheetNPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter Value VMT3 EMT3FVCC50VIC(MAX.)100mA R110kDTC114EM DTC114EEBR2 (SC-105AA) (SC-89)10k EMT3 UMT3FlFeaturesl1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10k 2) Built-in bias resistors enable the configuration of
0.4. Size:1522K rohm
dtc114eefra dtc114ekafra dtc114emfha dtc114euafra.pdf 
DTC114E seriesDatasheetNPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter Value VMT3 EMT3FVCC50VIC(MAX.)100mA R110kDTC114EM DTC114EEBR2 (SC-105AA) (SC-89)10k EMT3 UMT3FlFeaturesl1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10k 2) Built-in bias resistors enable the configuration of
0.5. Size:178K diodes
ddtc114eka.pdf 
DDTC (R1 = R2 SERIES) KA NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction A SC-59 Complementary PNP Types Available (DDTA) Dim Min Max Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 A 0.35 0.50 Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) "Green" Device, Note 3 and 4 B C B 1.50 1.70 C 2.70 3.00 D 0.95 Mechanical Data GG
0.6. Size:62K chenmko
chdtc114ekpt.pdf 
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTC114EKPTSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 50 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SC-59/SOT-346) SC-59/SOT-346* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation cu
0.7. Size:70K chenmko
chdtc114ekgp.pdf 
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTC114EKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 50 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (/SOT-23) SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.
