DTC114EK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTC114EK

Маркировка: EC4

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SMT

 Аналоги (замена) для DTC114EK

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC114EK даташит

 ..1. Size:881K  rohm
 dtc114ek dtc124xk.pdf pdf_icon

DTC114EK

 0.1. Size:57K  motorola
 pdtc114ek 3.pdf pdf_icon

DTC114EK

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D114 PDTC114EK NPN resistor-equipped transistor 1998 Nov 26 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114EK FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 Simplification of circuit design 3 Reduces number

 0.2. Size:57K  philips
 pdtc114ek 3.pdf pdf_icon

DTC114EK

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D114 PDTC114EK NPN resistor-equipped transistor 1998 Nov 26 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114EK FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 Simplification of circuit design 3 Reduces number

 0.3. Size:1523K  rohm
 dtc114eka.pdf pdf_icon

DTC114EK

DTC114E series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 10k DTC114EM DTC114EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 10k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10k 2) Built-in bias resistors enable the configuration of

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DTB143EC, DTB143EK, DTB143ES, DTC113ZKA, DTC113ZSA, DTC113ZUA, DTC114ECA, DTC115TN3, D882, DTC114EKA, DTC114ESA, DTC114EUA, DTC114GKA, DTC114GSA, DTC114GUA, DTC114TCA, DTC115TM3T5G