Справочник транзисторов. DTC123ESA

 

Биполярный транзистор DTC123ESA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTC123ESA
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SC72
 

 Аналог (замена) для DTC123ESA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC123ESA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  rohm
dtc123eka dtc123esa dtc123eua.pdfpdf_icon

DTC123ESA

DTC123EM / DTC123EE / DTC123EUATransistors DTC123EKA / DTC123ESADigital transistors (built-in resistors)DTC123EM / DTC123EE / DTC123EUADTC123EKA / DTC123ESA Equivalent circuit Features1) Built-in bias resistors enable the configuration of aninverter circuit without connecting external inputOUTR1resistors (see equivalent circuit). IN2) The bias resistors consist of thin-f

 6.1. Size:139K  nxp
pdtc123eef pdtc123ek pdtc123es.pdfpdf_icon

DTC123ESA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTC123E seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kProduct data sheet 2004 Aug 06Supersedes data of 2004 Mar 18NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistors; PDTC123E seriesR1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 7.1. Size:55K  motorola
pdtc123et 3.pdfpdf_icon

DTC123ESA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTC123ETNPN resistor-equipped transistor1999 May 21Product specificationSupersedes data of 1998 May 08Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k each) Simplification of circuit design Reduces number of co

 7.2. Size:182K  philips
pdtc123e series.pdfpdf_icon

DTC123ESA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTC123E seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kProduct data sheet 2004 Aug 06Supersedes data of 2004 Mar 18NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistors; PDTC123E seriesR1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

Другие транзисторы... DTC115EUA , DTC115GKA , DTC115GUA , DTC115TKA , DTC115TSA , DTC115TUA , DTC144EY3 , DTC123EKA , TIP42 , DTC123EUA , DTC144EUAFRA , DTC123JKA , DTC123JSA , DTC123JUA , DTC144ES3 , DTC123YKA , DTC123YSA .

History: KTA2012E | GET536 | PBLS4004D | MHQ3798

 

 
Back to Top

 


 
.