EMB59 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMB59

Маркировка: B59

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMB59

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMB59 даташит

 ..1. Size:692K  rohm
 emb59.pdf pdf_icon

EMB59

EMB59 Datasheet Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter DTr1 and DTr2 EMT6 VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 10k EMB59 R2 (SC-107C) 47k lFeatures lInner circuit l l 1) Two DTA014Y chips in a EMT6 package. 2) Transister elements are independent, eliminatin

Другие транзисторы: DTC144GUA, EMB61, DTC144TKA, DTC144TSA, DTC144TUA, EMB60, DTC144VKA, DTC144VUA, C5198, EMB6, DTC144WKA, DTC144WUA, EMB51, EMB52, DTC314TK, EMB53, DTC314TS