EMB53 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMB53

Маркировка: B53

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMB53

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMB53 даташит

 ..1. Size:725K  rohm
 emb53.pdf pdf_icon

EMB53

EMB53 Datasheet Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter DTr1 and DTr2 EMT6 VCEO -50V IC -100mA R1 4.7k EMB53 (SC-107C) lFeatures lInner circuit l l 1) Two DTA043T chips in a EMT6 package. 2) Transister elements are independent, eliminating in

Другие транзисторы: DTC144VUA, EMB59, EMB6, DTC144WKA, DTC144WUA, EMB51, EMB52, DTC314TK, BD140, DTC314TS, EMB3FHA, EMB4, EMB4FHA, DTC343TK, EMB3, DTC343TS, EMB2FHA