Справочник транзисторов. EMB53

 

Биполярный транзистор EMB53 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: EMB53
   Маркировка: B53
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMB53

 

 

EMB53 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:725K  rohm
emb53.pdf

EMB53
EMB53

EMB53DatasheetComplex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter DTr1 and DTr2 EMT6VCEO-50VIC-100mA R14.7kEMB53(SC-107C) lFeatures lInner circuitl l1) Two DTA043T chips in a EMT6 package.2) Transister elements are independent, eliminatingin

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top