EMB4 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: EMB4
Маркировка: B4
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SC-107C
Аналоги (замена) для EMB4
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
EMB4 даташит
emb4.pdf
EMB4 / UMB4N Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCEO -50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) -100mA (2) (2) (3) (3) R1 10kW EMB4 UMB4N (SC-107C) SOT-353 (SC-88) lFeatures lInner circuit 1) Built-In Biasing Resistors. 2) Two DTA114T chips in one pac
emb4.pdf
EMB4 General purpose transistors (dual digital transistors) FEATURES SOT-563 Two DTA114T chips in a package Marking B4 (3) (2) (1) 1 Equivalent circuit R1 R1 (4) (5) (6) Absolute maximum ratings (Ta=25 ) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -100 mA
pemb4 pumb4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMB4; PUMB4 PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k , R2 = open Product data sheet 2003 Oct 15 Supersedes data of 2001 Sep 14 NXP Semiconductors Product data sheet PNP/PNP resistor-equipped transistors; PEMB4; PUMB4 R1 = 10 k , R2 = open FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT
emb4fha.pdf
EMB4FHA / UMB4NFHA EMB4 / UMB4N Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCEO -50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) -100mA (2) (2) (3) (3) R1 10kW EMB4 UMB4N EMB4FHA UMB4NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) lFeatures lInner circuit 1) Bui
Другие транзисторы: DTC144WKA, DTC144WUA, EMB51, EMB52, DTC314TK, EMB53, DTC314TS, EMB3FHA, BC557, EMB4FHA, DTC343TK, EMB3, DTC343TS, EMB2FHA, DTC363EK, DTC363EU, DTD113EK
History: EMB4FHA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77





