Биполярный транзистор EMB4 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: EMB4
Маркировка: B4
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SC-107C
EMB4 Datasheet (PDF)
emb4.pdf
EMB4 / UMB4NDatasheetPNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCEO-50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.)-100mA (2) (2) (3) (3) R110kWEMB4 UMB4N (SC-107C) SOT-353 (SC-88) lFeatures lInner circuit1) Built-In Biasing Resistors.2) Two DTA114T chips in one pac
emb4.pdf
EMB4 General purpose transistors (dual digital transistors)FEATURESSOT-563 Two DTA114T chips in a package Marking: B4 (3) (2) (1) 1 Equivalent circuit R1R1(4) (5) (6) Absolute maximum ratings (Ta=25) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -100 mA
pemb4 pumb4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMB4; PUMB4PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = openProduct data sheet 2003 Oct 15Supersedes data of 2001 Sep 14NXP Semiconductors Product data sheetPNP/PNP resistor-equipped transistors; PEMB4; PUMB4R1 = 10 k, R2 = openFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT
emb4fha.pdf
EMB4FHA / UMB4NFHAEMB4 / UMB4NDatasheetPNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCEO-50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.)-100mA (2) (2) (3) (3) R110kWEMB4 UMB4NEMB4FHA UMB4NFHA(SC-107C) SOT-353 (SC-88) lFeatures lInner circuit1) Bui
chemb4gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHEMB4GPSURFACE MOUNT Dual Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-563)SOT-563* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050