EMB4FHA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMB4FHA

Маркировка: B4

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMB4FHA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMB4FHA даташит

 ..1. Size:1200K  rohm
 emb4fha.pdf pdf_icon

EMB4FHA

EMB4FHA / UMB4NFHA EMB4 / UMB4N Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCEO -50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) -100mA (2) (2) (3) (3) R1 10kW EMB4 UMB4N EMB4FHA UMB4NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) lFeatures lInner circuit 1) Bui

Другие транзисторы: DTC144WUA, EMB51, EMB52, DTC314TK, EMB53, DTC314TS, EMB3FHA, EMB4, TIP42C, DTC343TK, EMB3, DTC343TS, EMB2FHA, DTC363EK, DTC363EU, DTD113EK, DTD113ES