DTD113EK - описание и поиск аналогов

 

DTD113EK - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DTD113EK
   Маркировка: F21
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 33
   Корпус транзистора: SC59 SOT346

 Аналоги (замена) для DTD113EK

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTD113EK - технические параметры

 ..1. Size:136K  rohm
dtd113ek.pdfpdf_icon

DTD113EK

500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTD113EK Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver 2.9 1.1 DTD113EK 0.4 0.8 Features ( ) 3 1)Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). (2) (1) 2)The bias resistors consist of thin-f

 ..2. Size:60K  rohm
dtd113es dtd113ek.pdfpdf_icon

DTD113EK

Transistors Digital transistors (built-in resistors) DTD113EK / DTD113ES FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin- film resistors with complete isola- tion to allow negative biasing of the input. They

 0.1. Size:123K  nxp
pdtd113ek pdtd113es.pdfpdf_icon

DTD113EK

PDTD113E series NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k , R2 = 1 k Rev. 02 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA JEDEC PDTD113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB113EK PDTD113ES[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDT

 0.2. Size:113K  chenmko
chdtd113ekgp.pdfpdf_icon

DTD113EK

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD113EKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi

Другие транзисторы... EMB4 , EMB4FHA , DTC343TK , EMB3 , DTC343TS , EMB2FHA , DTC363EK , DTC363EU , 13003 , DTD113ES , DTD114EK , DTD114ES , DTD123EK , DTD123ES , DTD143EC , DTD143EK , DTD143ES .

 

 
Back to Top

 


 
.