DTD114EK datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DTD114EK
Маркировка: F24
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56
Корпус транзистора: SC59 SOT346
Аналоги (замена) для DTD114EK
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTD114EK даташит
dtd114es dtd114ek.pdf
DTD114EK / DTD114ES Transistors 500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTD114EK / DTD114ES Applications External dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver 2.9 1.1 DTD114EK 0.4 0.8 (3) Feature 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (2) (1) (see equivalent circui
dtd114ek.pdf
500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTD114EK Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver 2.9 1.1 DTD114EK 0.4 0.8 Features (3) 1)Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). (2) (1) 2)The bias resistors consist of thin-film
chdtd114ekgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD114EKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi
pdtd114et 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D088 PDTD114ET NPN resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTD114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handboo
Другие транзисторы: DTC343TK, EMB3, DTC343TS, EMB2FHA, DTC363EK, DTC363EU, DTD113EK, DTD113ES, 2SC2073, DTD114ES, DTD123EK, DTD123ES, DTD143EC, DTD143EK, DTD143ES, DTD163TA, DTD163TF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet












