DTD123EK datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DTD123EK
Маркировка: F22
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 39
Корпус транзистора: SC59 SOT346
Аналоги (замена) для DTD123EK
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTD123EK даташит
dtd123ek dtd123es.pdf
Transistors Digital transistors (built-in resistors) DTD123EK / DTD123ES FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin- film resistors with complete isola- tion to allow negative biasing of the input. They
dtd123ek.pdf
500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTD123EK Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver DTD123EK 2.9 1.1 Features 1)Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter 0.4 0.8 circuit without connecting external input resistors (see (3) equivalent circuit). 2)The bias resistors consist of thin-film resistors
pdtd123ek pdtd123es.pdf
PDTD123E series NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k Rev. 02 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA JEDEC PDTD123EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB123EK PDTD123ES[1] SOT54 SC-43A TO-92
chdtd123ekgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD123EKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi
Другие транзисторы: DTC343TS, EMB2FHA, DTC363EK, DTC363EU, DTD113EK, DTD113ES, DTD114EK, DTD114ES, BC327, DTD123ES, DTD143EC, DTD143EK, DTD143ES, DTD163TA, DTD163TF, DTD163TK, DTD163TL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet








