DTS1010 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DTS1010 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для DTS1010
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTS1010 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: DTL8753, DTL8754, DTL8755, DTN1006, DTN9000, DTN9000T, DTN9001, DTN9001T, 2SD718, DTS1020, DTS103, DTS105, DTS106, DTS107, DTS108, DTS2000, DTS2001
History: DTN9001
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor
