DTS660 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTS660  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для DTS660

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTS660 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: DTS431M, DTS515, DTS516, DTS517, DTS518, DTS519, DTS520, DTS520MX, 2SC828, DTS663, DTS665, DTS701, DTS702, DTS704, DTS708, DTS709, DTS710