Биполярный транзистор DTS660 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: DTS660
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам