Биполярный транзистор DTS709 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: DTS709
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам