Биполярный транзистор E1B Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: E1B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Корпус транзистора: M122
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам