E1B datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: E1B 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
Электрические характеристики
Корпус транзистора: M122
Аналоги (замена) для E1B
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
E1B даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: DW7050, DW7975, DZ9A4, DZ9A5, E10-28, E1-28, E1617, E1694, 2N3906, E20079, E20080, E20124, E20155, E20158, E20180, E20182, E20188
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328
