Биполярный транзистор 2N3567 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N3567
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO106
2N3567 Datasheet (PDF)
..1. Size:64K central
2n3567 2n3568 2n3569 pn3567 pn3568 pn3569.pdf
2n3567 2n3568 2n3569 pn3567 pn3568 pn3569.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
Другие транзисторы... 2N3552 , 2N3553 , 2N3554 , 2N356 , 2N3563 , 2N3564 , 2N3565 , 2N3566 , 8050 , 2N3568 , 2N3569 , 2N356A , 2N357 , 2N3570 , 2N3571 , 2N3572 , 2N3576 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050