Биполярный транзистор ED1802L Даташит. Аналоги
Наименование производителя: ED1802L
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 132
Корпус транзистора: TO92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
ED1802L Datasheet (PDF)
ed1802.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186ED1802PNP general purpose transistor1999 Apr 27Product specificationSupersedes data of 1997 May 27Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor ED1802FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 25 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3 collector
Другие транзисторы... ED1702N , ED1801 , ED1801K , ED1801L , ED1801M , ED1801N , ED1802 , ED1802K , 2SD2012 , ED1802M , ED1802N , ED2502 , ED592 , ED8050 , ED8050C , ED8550 , ED8550C .
History: PN3013 | 3DD260 | D41DU9 | 2SC1654A | KTC4347 | UMB6N | BSS63
History: PN3013 | 3DD260 | D41DU9 | 2SC1654A | KTC4347 | UMB6N | BSS63



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet