ED8050C. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ED8050C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для ED8050C
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
ED8050C даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: ED1802, ED1802K, ED1802L, ED1802M, ED1802N, ED2502, ED592, ED8050, TIP32C, ED8550, ED8550C, EFT212, EFT213, EFT214, EFT250, EFT306, EFT307
History: 2SD819 | 2N6730 | ED1702K | 2N5620 | ED1401B | ED1501C | PXT8050-D2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet
