ED8050C - описание и поиск аналогов

 

ED8050C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ED8050C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для ED8050C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ED8050C даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: ED1802, ED1802K, ED1802L, ED1802M, ED1802N, ED2502, ED592, ED8050, TIP32C, ED8550, ED8550C, EFT212, EFT213, EFT214, EFT250, EFT306, EFT307

 

 

 

 

↑ Back to Top
.