Справочник транзисторов. ED8050C

 

Биполярный транзистор ED8050C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: ED8050C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120

Корпус транзистора: TO92

Аналоги (замена) для ED8050C

 

 

ED8050C Datasheet (PDF)

NO PDF!

Другие транзисторы... ED1802 , ED1802K , ED1802L , ED1802M , ED1802N , ED2502 , ED592 , ED8050 , BU508A , ED8550 , ED8550C , EFT212 , EFT213 , EFT214 , EFT250 , EFT306 , EFT307 .

Back to Top

 


ED8050C
  ED8050C
  ED8050C
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: MMUN2235L | MMUN2234LT1G | MMUN2234LT1 | MMUN2233LT1G | MMUN2233LT1 | MMUN2232LT1G | MMUN2232LT1 | MMUN2231LT1G | MMUN2231LT1 | MMUN2230LT1G | MMUN2230LT1 | MMUN2230L | MMUN2217LT1G | MMUN2217L | MMUN2216LT1G | MMUN2216LT1 | MMUN2215LT1G | MMUN2215LT1 | MMUN2214LT1G | MMUN2214LT1 |