ERS200 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ERS200  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для ERS200

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ERS200 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: EN956, EQF0009, EQS0196, ERS100, ERS120, ERS140, ERS160, ERS180, TIP2955, ERS225, ERS250, ERS275, ERS301, ERS325, ERS350, ERS375, ERS401