ERS275 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: ERS275
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 275 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 275 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для ERS275