Биполярный транзистор ESM1000 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: ESM1000
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 400 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 150 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO83
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам