Биполярный транзистор ESM2060 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: ESM2060
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 400 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 70 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
Корпус транзистора: TO83
ESM2060 Datasheet (PDF)
9.1. Size:117K st
esm2012.pdf
esm2012.pdf
ESM2012DVNPN DARLINGTON POWER MODULE HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION TO CASEth SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOADAREAS ULTRAFAST FREEWHEELING DIODE ISOLATED CASE (2500V RMS) EASY TO MOUNT LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCEINDUSTRIAL APPLICATIONS: MOTOR CONTROL UPS DC/DC & DC/AC CONVERTERSISOTOPINTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
