ESM2666 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ESM2666  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для ESM2666

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ESM2666 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: ESM217, ESM218, ESM2369, ESM259, ESM260, ESM261, ESM262, ESM2633, 2SD313, ESM2667, ESM2668, ESM2725, ESM2731, ESM28, ESM2808, ESM282, ESM282A