Биполярный транзистор ESM2668 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: ESM2668
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 86 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 475 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам