ESM3045DV datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: ESM3045DV 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 24 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1200
Корпус транзистора: ISOTOP
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для ESM3045DV
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
ESM3045DV даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: ESM3001, ESM3002, ESM3004, ESM3005, ESM3006, ESM3007, ESM3030DV, ESM3045AV, 2SD669A, ESM400, 3CA200D, 3CA200E, 3CA200F, 3CA2050, 3CA3A, 3CA3B, 3CA3C
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525
