ESM5045DV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ESM5045DV  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: ISOTOP

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для ESM5045DV

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ESM5045DV даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: ESM5004, ESM5005, ESM5006, ESM5007, ESM5008, ESM5009, ESM5038, ESM5039, BD139, ESM5671, ESM5672, ESM6045AV, ESM6045DV, ESM622, ESM623, ESM635, ESM636