ESM636 - описание и поиск аналогов

 

ESM636. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ESM636

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для ESM636

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ESM636 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: ESM5045DV, ESM5671, ESM5672, ESM6045AV, ESM6045DV, ESM622, ESM623, ESM635, BC548, ESM637, ESM638, ESM639, ESM640, ESM642, ESM643, ESM690, ESM691

 

 

 

 

↑ Back to Top
.