Справочник транзисторов. F104

 

Биполярный транзистор F104 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: F104
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для F104

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

F104 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:51K  philips
blf1048.pdfpdf_icon

F104

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D379BLF1048UHF power LDMOS transistorPreliminary specification 2000 Feb 02Supersedes data of 1999 July 01Philips Semiconductors Preliminary specificationUHF power LDMOS transistor BLF1048FEATURES PINNING - SOT502A High power gainPIN DESCRIPTION Easy power control1 drain Excellent ruggedness2 gate Sou

 0.2. Size:124K  philips
blf1046 n 6.pdfpdf_icon

F104

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D381BLF1046UHF power LDMOS transistorPreliminary specification 2000 Sep 20Philips Semiconductors Preliminary specificationUHF power LDMOS transistor BLF1046FEATURES PINNING - SOT467C High power gainPIN DESCRIPTION Easy power control1drain Excellent ruggedness2gate Source on underside eliminates DC isolators, reducin

 0.3. Size:94K  philips
blf1043.pdfpdf_icon

F104

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D438BLF1043UHF power LDMOS transistorProduct specification 2003 Mar 13Supersedes data of 2002 November 11Philips Semiconductors Product specificationUHF power LDMOS transistor BLF1043FEATURES PINNING - SOT538A Typical 2-tone performance at a supply voltage of 26 VPIN DESCRIPTIONand IDQ of 85 mA1 drain Output power = 10 W (PEP

 0.4. Size:122K  philips
blf1047.pdfpdf_icon

F104

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D390BLF1047UHF power LDMOS transistorPreliminary specification 2000 Oct 23Philips Semiconductors Preliminary specificationUHF power LDMOS transistor BLF1047FEATURES PINNING - SOT541A High power gainPIN DESCRIPTION Easy power control1drain Excellent ruggedness2gate Source on underside eliminates DC isolators, reducin

Другие транзисторы... EW69 , EW721 , EW722 , EW723 , EWQ282 , F101 , F102 , F103 , 2SB817 , F105 , F106 , F107 , F108 , F109 , F110 , F111 , F112 .

History: BF159 | PH3134-25M | MP3644 | FMMT3642 | SFT115 | RN2967CT

 

 
Back to Top

 


 
.