F104. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F104

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для F104

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

F104 даташит

 0.1. Size:51K  philips
 blf1048.pdf pdf_icon

F104

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D379 BLF1048 UHF power LDMOS transistor Preliminary specification 2000 Feb 02 Supersedes data of 1999 July 01 Philips Semiconductors Preliminary specification UHF power LDMOS transistor BLF1048 FEATURES PINNING - SOT502A High power gain PIN DESCRIPTION Easy power control 1 drain Excellent ruggedness 2 gate Sou

 0.2. Size:124K  philips
 blf1046 n 6.pdf pdf_icon

F104

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D381 BLF1046 UHF power LDMOS transistor Preliminary specification 2000 Sep 20 Philips Semiconductors Preliminary specification UHF power LDMOS transistor BLF1046 FEATURES PINNING - SOT467C High power gain PIN DESCRIPTION Easy power control 1drain Excellent ruggedness 2gate Source on underside eliminates DC isolators, reducin

 0.3. Size:94K  philips
 blf1043.pdf pdf_icon

F104

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D438 BLF1043 UHF power LDMOS transistor Product specification 2003 Mar 13 Supersedes data of 2002 November 11 Philips Semiconductors Product specification UHF power LDMOS transistor BLF1043 FEATURES PINNING - SOT538A Typical 2-tone performance at a supply voltage of 26 V PIN DESCRIPTION and IDQ of 85 mA 1 drain Output power = 10 W (PEP

 0.4. Size:122K  philips
 blf1047.pdf pdf_icon

F104

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D390 BLF1047 UHF power LDMOS transistor Preliminary specification 2000 Oct 23 Philips Semiconductors Preliminary specification UHF power LDMOS transistor BLF1047 FEATURES PINNING - SOT541A High power gain PIN DESCRIPTION Easy power control 1drain Excellent ruggedness 2gate Source on underside eliminates DC isolators, reducin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: EW69, EW721, EW722, EW723, EWQ282, F101, F102, F103, S9013, F105, F106, F107, F108, F109, F110, F111, F112