F114. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F114

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO62

 Аналоги (замена) для F114

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

F114 даташит

 0.1. Size:223K  panasonic
draf114t.pdfpdf_icon

F114

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF114T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF114T DRA3114T in ML3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) ML3-N4-B Contributes to miniaturization of

 0.2. Size:224K  panasonic
draf114e.pdfpdf_icon

F114

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF114E Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF114E DRA3114E in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free package Pac

 0.3. Size:225K  panasonic
draf114y.pdfpdf_icon

F114

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF114Y Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF114Y DRA3114Y in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free package Packa

Другие транзисторы: F106, F107, F108, F109, F110, F111, F112, F113, 2SD669A, F115, F116, F117, F117A, F118, F118A, F119, F119A