Биполярный транзистор FA1F4Z - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FA1F4Z
Маркировка: L64_L65_L66
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135
Корпус транзистора: SOT23
FA1F4Z Datasheet (PDF)
..1. Size:156K nec
fa1f4z.pdf
fa1f4z.pdf
This datasheet has been download from:www.datasheetcatalog.comDatasheets for electronics components.
Другие транзисторы... F4 , F5 , FA1A3Q , FA1A4M , FA1A4P , FA1A4Z , FA1F4M , FA1F4N , C945 , FA1L3M , FA1L3N , FA1L4L , FA1L4M , FB2060A , FB2060B , FB3423 , FB3424 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050