Справочник транзисторов. FA1L3N

 

Биполярный транзистор FA1L3N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: FA1L3N
   Маркировка: L82
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для FA1L3N

 

 

FA1L3N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  nec
fa1l3n.pdf

FA1L3N
FA1L3N

 9.1. Size:160K  nec
fa1l3z.pdf

FA1L3N
FA1L3N

 9.2. Size:151K  nec
fa1l3m.pdf

FA1L3N
FA1L3N

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top