FC157. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FC157

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 11000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SO6

 Аналоги (замена) для FC157

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FC157 даташит

 ..1. Size:204K  sanyo
 fc157.pdf pdf_icon

FC157

Ordering number EN5433 FC157 NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor High-Frequency Low-Noise Amp, Differential Amp Applications Features Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in the unit mm CP package currently in use, improving the mount- 2067A ing efficiency greatly. [FC157] The FC157 is formed with two chips, being equiva- lent to the

Другие транзисторы: FC112, FC113, FC114, FC115, FC116, FC119, FC120, FC156, A733, FCS6208, FCS6209, FCS9010, FCS9011D, FCS9011E, FCS9011F, FCS9011G, FCS9011H