2N3637 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3637  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 175 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 175 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3637

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3637 даташит

 ..1. Size:219K  bocasemi
 2n3634 2n3635 2n3636 2n3637.pdf pdf_icon

2N3637

Boca Semiconductor Corp. BSC http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com

 0.1. Size:32K  semelab
 2n3637dcsm.pdf pdf_icon

2N3637

2N3637DCSM MECHANICAL DATA DUAL PNP SILICON TRANSISTORS Dimensions in mm (inches) IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) FEATURES 2 3 High Voltage Switching 1 4 A Low Power Amplifier Applications 0.23 6 5 rad. (0.009) Herme

 0.2. Size:18K  semelab
 2n3637csm.pdf pdf_icon

2N3637

2N3637CSM MECHANICAL DATA PNP SILICON TRANSISTOR IN A Dimensions in mm (inches) HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS 0.51 0.10 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) 3 FEATURES 21 High Voltage Switching Low Power Amplifier Applications 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Hermetic Ceramic Surface Mount (0.012)

 0.3. Size:227K  microsemi
 2n3637ub.pdf pdf_icon

2N3637

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N3634 2N3635 2N3636 2N3637 JANSD 10K Rads (Si) 2N3634L 2N3635L 2N3636L 2N3637L JANSP 30K Rads (Si)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N3632, 2N3633, 2N3634, 2N3634S, 2N3635, 2N3635S, 2N3636, 2N3636S, D882, 2N3637S, 2N3638, 2N3638A, 2N3639, 2N364, 2N3640, 2N3641, 2N3642