Биполярный транзистор FCX653 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FCX653
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
Корпус транзистора: SOT89
FCX653 Datasheet (PDF)
9.1. Size:75K diodes
fcx658a.pdf
fcx658a.pdf
SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR FCX658AISSUE 1 NOVEMBER 2000FEATURESC* 400 Volt VCEO* 0.5 Amp continuous current* Ptot=1 Watt* Optimised hfe characterised upto 200mAEAPPLICATIONSC* Telephone dialler circuitsB* Hook switches for modemsSOT89* Predrivers within HID lamp ballasts* (SLIC) Subscriber Line Interface CardsPartmarking
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
